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西安存储教我们了解储存技术

西安存储教我们了解储存技术

发布日期:2020-05-20 作者: 点击:

西安储存认为对数据存储和处理(汽车应用)的需求越来越大。多年来,人们一直在寻找一种结合了DRAM和NAND闪存优点的通用存储器,这种存储器成本低、性能可靠、用途广泛,有可能取代它们,满足带宽不断增长的需求并降低功耗。在查看内存层次结构时,并不缺少新的内存、材料和体系结构,这些新内存、材料和体系结构正在考虑取代内存层次结构中的各个层次。虽然相变存储器(PCRAM或PCM)、电阻存储器(RRAM)、铁电场效应晶体管(FeFETs)和各种磁性存储器(MRAM)是过去几年研发的热点,但目前SRAM、DRAM和NAND闪存仍是主流。

为了取代SRAM L1缓存,结合了SRAM的速度和flflash的非易变性,考虑了Spin-Torque-Transfer MRAM (STT-MRAM)。它是一种单晶体管结构,带有一个磁隧道结(MTJ)存储器单元,这可能是解决不断增加的对SRAM单元大小的不确定性的一个答案。到目前为止,STT-MRAM对SRAM L3有一个清晰的价值定位,但它还不足以取代L1和L2缓存。此外,由于共享的写/读行,内存单元遭受可靠性问题。

西安储存

虽然仍处于研发阶段,Spin-Orbit-Torque MRAM (SOT-MRAM)在这方面可能是一个更好的选择。SOT- mram在设备下集成了一个SOT层。它通过向相邻的SOT层注入面内电流来诱导该层的切换。读和写有两种不同的路径,其中读类似于STT,而写不是通过MTJ完成的。这样做的好处是可以分别优化读和写路径。通过在形成SOT的硬掩膜中集成铁磁体,可以在较低的功率下实现更快的开关。

西安储存认为将SRAM和逻辑这样的内存堆叠在一起。这允许增加带宽,减少形式因素,并提高功率效率。标准的3D通硅(TSV)和晶圆对晶圆的连接技术可以用于此目的,但也可以采用混合方法,即通过顺序3D处理实现设备与标准电池之间短的互连,并通过标准3D技术在块级实现互连,从而在过程复杂性和功率性能增益方面进行佳权衡。它还允许为逻辑部分和SRAM部分(垂直设备或VFET)引入特定的设备架构和技术。这就表明,VFET对于SRAM应用是非常有利的,这允许人们减小面积,尤其是当人们考虑堆叠它们时。

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